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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優(yōu)化性能
  • 新聞稿
十月 21, 2020

Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優(yōu)化性能

“ASFET”采用專為特定應用量身定制的MOSFET參數(shù)

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Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器
  • 新聞稿
十月 12, 2020

Nexperia推出首款帶可焊性側(cè)面、采用DFN封裝的LED驅(qū)動器

符合AEC-Q101標準的DFN2020D-6器件可節(jié)省90%PCB空間;可焊性側(cè)面可實現(xiàn)自動光學檢測(AOI)并提高可靠性

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Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
  • 新聞稿
九月 29, 2020

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器

具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件

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Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
  • 新聞稿
九月 15, 2020

Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

具備行業(yè)基準性能的器件,符合AEC-Q101標準,可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)

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Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線
  • 新聞稿
六月 29, 2020

Nexperia“Power Live”在線研討會于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關GaN、鍺化硅、汽車應用、先進封裝等等主題的現(xiàn)場討論;觀看點播視頻演示

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Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導體產(chǎn)品組合
  • 新聞稿
六月 23, 2020

Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導體產(chǎn)品組合

相比現(xiàn)有SMD器件可節(jié)省90%空間,支持AOI檢測

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Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
  • 新聞稿
六月 10, 2020

Nexperia(安世半導體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

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Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間
  • 新聞稿
五月 27, 2020

Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間

符合AEC-Q101標準的120 V、150 V和200 V設備兼具肖特基和快速恢復二極管的最佳屬性

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Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝
  • 新聞稿
五月 07, 2020

Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅固LFPAK56封裝

符合AEC-Q101標準,適合汽車應用

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