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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

N溝道MOSFET低VCEsat(BISS)PNP晶體管組合

具備組合優(yōu)勢(shì)的二合一解決方案

您的設(shè)計(jì)能否受益于MOSFET雙極性晶體管組合?這些器件將PNP突破性小信號(hào)(BISS)晶體管與N溝道MOSFET相結(jié)合,提供大量性能和設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),包括高效率、器件數(shù)減少并節(jié)省成本和電路板空間。

參數(shù)搜索

Low VCEsat (BISS) transistors PNP - N-channel MOSFET combination
數(shù)據(jù)加載中,請(qǐng)稍候...
參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
PBSM5240PF 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET EndOfLife
PBSM5240PFH 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
DFN2020-6_SOT1118_mk.png plastic, thermal enhanced ultra thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.65 mm pitch; 2 mm x 2 mm x 0.65 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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