Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
二月 29, 2024Nijmegen -- 專業(yè)研發(fā)提供節(jié)省空間的PoE ASFET和EMC優(yōu)化型NextPowerS3 MOSFET。
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奈梅亨,2024年2月27日:Nexperia再次在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應(yīng)用專用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封裝,體積縮小60%,以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET。
PoE交換機(jī)通常有多達(dá)48個端口,每個端口需要2個MOSFET提供保護(hù)。單個PCB上有多達(dá)96個MOSFET,小型化器件封裝尺寸的解決方案極具吸引力。為此,Nexperia發(fā)布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封裝的100 V PoE ASFET,與以前采用LFPAK33封裝的版本相比,占用的空間減少了60%。這些器件的一個關(guān)鍵功能是通過限制浪涌電流來保護(hù)PoE端口,同時安全地管理故障情況。為了應(yīng)對這種情況,Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)(SOA)增強(qiáng)了3倍,而RDS(on)只有非常微小的增幅。 這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點、5G微微蜂窩和閉路電視應(yīng)用,并且可以替代智能恒溫器中的機(jī)械式繼電器等。
由MOSFET開關(guān)引起的EMC相關(guān)問題通常只出現(xiàn)在產(chǎn)品開發(fā)周期的后期,解決這些問題可能會產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場發(fā)布。典型的解決方案包括使用更昂貴且RDS(on)較低的MOSFET(以減慢開關(guān)速度并吸收過多的電壓振鈴)或安裝外部電容緩沖器電路,但這種方法的缺點是會增加元件數(shù)量。Nexperia優(yōu)化了其40 V NextPowerS3 MOSFET,以提供與使用外部緩沖器電路可實現(xiàn)的相似的EMC性能,同時還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝,適用于各種應(yīng)用的開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器。
Nexperia MOSFET營銷和產(chǎn)品部總監(jiān)Chris Boyce說道:“通過在APEC 2024上推出我們的分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列,Nexperia展示了我們?nèi)绾卫梦覀儗I(yè)的研發(fā)知識來提供優(yōu)化的解決方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改進(jìn)的EMC性能都表明了我們堅定支持工程師克服各種應(yīng)用挑戰(zhàn)的決心。這些創(chuàng)新凸顯了Nexperia致力于提供高效、緊湊和可靠的解決方案,幫助我們的客戶在當(dāng)今不斷發(fā)展的市場中取得成功。”
欲了解有關(guān)Nexperia PoE ASFET的更多信息,請訪問: https://nexperia.cn/asfets-for-poe
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Nexperia總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國共有15,000多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計的基本功能提供支持。
Nexperia為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅定承諾。
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