Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交互式數(shù)據(jù)手冊，便于無縫集成。

標桿器件PSMN1R0-100ASF是一款0.99 mΩ 100 V功率MOSFET，能夠承載460 A電流并達到1.55 KW耗散功率，采用CCPAK1212封裝，僅占用12mm×12mm的電路板空間。PSMN1R0-100CSF的頂部散熱版本也具備類似的性能。

 

優(yōu)越的性能表現(xiàn)與器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊密相關(guān)。CCPAK1212中的“CC”代表銅夾片(Copper Clip)，這意味著功率MOSFET的晶圓夾在兩片銅片之間，一側(cè)是漏極散熱片，另一側(cè)是源極夾片。優(yōu)化后的設計無需引線鍵合，進而可降低導通電阻和寄生電感，提高最大額定電流并改進熱性能。

 

CCPAK1212 NextPower 80/100 V MOSFET適合側(cè)重于高效率和高可靠性的耗電工業(yè)應用，包括無刷直流(BLDC)電機控制、開關(guān)電源(SMPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和可再生能源存儲。這類單個大功率封裝的MOSFET可減少并聯(lián)需求、簡化設計，并提供更緊湊、更具成本效益的解決方案。

 

Nexperia此次推出的CCPAK1212系列中，還包括一些為特定應用而設計開發(fā)的新型MOSFET (ASFET)，主要用于為日益增強的AI服務器實現(xiàn)熱插拔操作。這些器件的安全工作區(qū)(SOA)經(jīng)過強化，可在線性模式轉(zhuǎn)換期間提供出色的熱穩(wěn)定性。

 

本系列器件提供頂部和底部散熱選項，讓相關(guān)應用的工程師可以靈活選擇散熱途徑，尤其適用于因為某些熱敏感器件限制而無法直接通過PCB進行散熱的設計。

 

Nexperia產(chǎn)品部總經(jīng)理Chris Boyce表示：“盡管我們擁有市場領先的性能，但我們知道，一些客戶對于采用相對較新的封裝進行設計時仍猶豫不決。為此，我們已經(jīng)向JEDEC標準組織注冊了CCPAK1212，參考編號為MO-359。早些年推出第一款LFPAK MOSFET封裝時，我們就采用了類似的方法，因此現(xiàn)在市場上有許多兼容的器件。當創(chuàng)新能夠為客戶創(chuàng)造真正的價值時，市場很快就會給予響應。”

 

所有新款CCPAK1212 MOSFET器件均享受一系列先進的設計工具支持，包括熱補償仿真模型。Nexperia還將傳統(tǒng)的PDF數(shù)據(jù)手冊升級成了用戶友好型交互式數(shù)據(jù)手冊，其中新增了一項“圖形轉(zhuǎn)csv”功能，使工程師能夠下載、分析和解釋每個器件關(guān)鍵特性背后的數(shù)據(jù)。這不僅簡化了設計流程，而且增強了對設計選擇的信心。

 

Nexperia計劃將CCPAK1212封裝應用到所有電壓范圍的功率MOSFET及其符合車規(guī)級AEC-Q101標準的產(chǎn)品組合，以實現(xiàn)超高電流和出色熱性能，滿足下一代系統(tǒng)不斷變化的需求。

 

 

欲了解有關(guān)Nexperia CCPAK1212 MOSFET的更多信息，請訪問：

https://www.nexperia.com/products/mosfets/family/ccpak1212-mosfets

關(guān)于Nexperia

如需媒體信息，請聯(lián)系：

Nexperia
Anne Proch
電話：+49 160 916 884 18
電子郵件：anne.proch@nexperia.com

Publitek
Lucy Sorton
電話：+44 07966 301949
電子郵件：lucy.sorton@publitek.com