NexperiaMOSFET為熱交換設計提供最佳安全操作區(qū)和改進的導通阻抗RDS(on)
十月 08, 2018奈梅亨 -- 確保同時滿足對保護功能和運行效率的要求
Nexperia是分立器件、邏輯器件和MOSFET器件的全球領導者,今天推出了其NextPower Live線性模式 MOSFET系列的最新產品PSMN3R7-100BSE,提供強大的安全操作區(qū)(SOA)和較低RDS(on)的最佳組合,非常適合熱插拔、軟啟動和電子熔斷器應用。將具有高SOA的MOSFET與熱插拔控制器結合使用,旨在管理交換服務器主機板或其他插拔式系統(tǒng)時可能出現(xiàn)的高浪涌電流,或確保順利啟動處理器板。前幾代器件已經在SOA與RDS(on)之間進行了取舍,而新技術在不影響RDS(on)的情況下實現(xiàn)了SOA最大化,從而保持了較高的操作效率水平。
Nexperia的新型PSMN3R7-100BSE MOSFET改善了SOA,與標準技術相比,其線性模式性能提高了四倍,最大RDS(on)僅為3.95m?(典型值為3.36m?),比以前的器件內阻約低18%。這些N溝道100V器件采用D2PAK封裝,結溫為175 OC。此外,這些器件與所有領先制造商的熱交換控制器完全兼容。
Nexperia的產品經理Mike Becker表示:“服務器和通信基礎設施公司正在將越來越強大的處理能力集中于葉片和基于機架的系統(tǒng)中,不斷推高電源需求。可靠的熱交換操作對于管理啟動過程中遇到的浪涌電流至關重要,但隨著功率水平和效率要求的提高,低RDS(on)也變得越來越重要。Nexperia的NextPower Live MOSFET提供了強SOA和低RDS(on)的標準組合,允許工程師設計超堅固的熱插拔解決方案來管理浪涌電流,而較低的RDS(on)可以提供最高水平的效率。”
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