Nexperia gab heute bekannt, dass das Unternehmen seine branchenführenden 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs jetzt im D²PAK-7-SMD-Gehäuse mit einer Auswahl von R_DSon-Werten von 30, 40, 60 und 80 mΩ anbietet. Diese Ankündigung folgt auf die Einführung von zwei diskreten SiC-MOSFETs im 3- und 4-Pin-TO-247-Gehäuse Ende 2023 durch Nexperia und ist das jüngste Angebot einer Reihe, mit der die SiC-MOSFET-Palette rasant um immer mehr Bauelemente mit R_DSon-Werten von 17, 30, 40, 60 und 80 mΩ in verschiedenen Gehäuseoptionen erweitert wird.

Mit der Markteinführung des NSF0xx120D7A0 reagiert Nexperia auf die wachsende Marktnachfrage nach SiC MOSFETs in SMD-Gehäusen wie D²PAK-7. Diese werden in verschiedenen industriellen Anwendungen, wie unter anderem dem Laden von Elektrofahrzeugen (Ladesäulen, Offboard-Laden), unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Wechselrichtern für Photovoltaik- und Energiespeichersysteme (ESS), immer beliebter. Die Erweiterung des SiC-MOSFET-Portfolios ist ein weiteres Zeugnis für die erfolgreiche strategische Partnerschaft zwischen Nexperia und der Mitsubishi Electric Corporation (MELCO). In deren Rahmen bündeln die beiden Unternehmen ihre Kräfte, um die Effizienz und Leistung von SiC-Halbleitern mit breiter Bandlücke weiter zu verbessern und gleichzeitig die Produktionskapazitäten für diese Technologie im Hinblick auf die ständig wachsende Marktnachfrage zukunftssicher zu machen.

R_DSon ist ein effizienzbestimmender Parameter in leistungselektronischen Applikationen. Seine Auswirkungen auf die Leitverluste macht ihn auch zu einem kritischen Leistungsparameter für SiC-MOSFETs. Viele Hersteller konzentrieren sich jedoch rein auf den Nennwert bei 25 °C und vernachlässigen dabei den Umstand, dass dieser bei steigenden Betriebstemperaturen um mehr als 100 % ansteigen kann, was zu erheblichen Leitverlusten führt. Dieser einschränkende Faktor gilt für viele, derzeit auf dem Markt befindlicher SiC-Bauelemente. Dank den Möglichkeiten von Nexperias innovativer Prozesstechnologie, bieten die SiC-MOSFETs eine branchenführende Temperaturstabilität: der Nennwert von R_DSon steigt über einen Betriebstemperaturbereich von 25–175 °C nur um 38 % an.

Die extrem enge Schwellenspannung (V_GS(th)-Spezifikation) ermöglicht diesen diskreten MOSFETs, bei Parallelschaltung eine ausgeglichene Stromführungsleistung zu bieten. Darüber hinaus ist die niedrige Durchlassspannung (V_SD) der Body-Diode ein Parameter, der die Robustheit und Effizienz der Bauelemente erhöht und gleichzeitig die Anforderungen an die Totzeit im Freilaufbetrieb verringert.

Weitere Informationen über die SiC-MOSFETs von Nexperia finden Sie unter: https://www.nexperia.com/sic-mosfets

über Nexperia

Nexperia ist ein globales Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in den Niederlanden, über 14.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern in Europa, Asien und den Vereinigten Staaten und einer langjährigen europäischen Geschichte. Als führender Experte entwickelt und produziert Nexperia essentielle Halbleiter, Komponenten, welche die Basisfunktionen von praktisch jedem kommerziellen elektronischen Design auf der Welt ermöglichen. Diese finden sich in der Automobil- und Industrieelektronik aber auch in Mobil- und Verbraucheranwendungen. 
Mit über 100 Milliarden ausgelieferten Bauteilen pro Jahr bedient das Unternehmen einen weltweiten Kundenstamm. Diese Produkte gelten als Maßstab für Effizienz hinsichtlich Herstellung, Größe, Stromverbrauch und Leistung. Das Bekenntnis von Nexperia zu Innovation, Effizienz, Nachhaltigkeit und strengen Industrieanforderungen zeigt sich im umfangreichen IP-Portfolio, sowie der wachsenden Produktpalette und Zertifizierung nach den Normen IATF 16949, ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.

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