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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號(hào)調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

低VCEsat (BISS) RET

增強(qiáng)了BISS-RET組合的優(yōu)勢(shì)

RET是節(jié)省空間和成本的出色解決方案,可減少器件數(shù)量并簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。搭配BISS晶體管,您的設(shè)計(jì)還能受益于增強(qiáng)的性能,包括高集電極電流能力和高集電極電流增益。我們提供多種SMD和引腳封裝供您選擇。

主要特性和優(yōu)勢(shì)

  • ± 10%電阻比容差
  • 降低貼片成本
  • 內(nèi)置偏置電阻
  • 減少器件數(shù)量
  • 100 mA、500 mA和最高800 mA的輸出電流能力
  • 簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)

關(guān)鍵應(yīng)用

  • 控制IC輸入
  • 數(shù)字系統(tǒng)
  • 開(kāi)關(guān)負(fù)載

參數(shù)搜索

Low VCEsat (BISS) RETs
數(shù)據(jù)加載中,請(qǐng)稍候...
參數(shù)搜索不可用。

產(chǎn)品

型號(hào) 描述 狀態(tài) 快速訪問(wèn)
PBRN113ET-Q 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Production
PBRN113ZT-Q 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ Production
PBRN123ET-Q 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1?=?2.2?kΩ,?R2?=?2.2?kΩ Production
PBRN123YT-Q 40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ Production
PBRP113ET-Q 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Production
PBRP113ZT-Q 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 10 kΩ Production
PBRP123ET-Q 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ Production
PBRP123YT-Q 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
SOT23_mk.png plastic, surface-mounted package; 3 terminals; 1.9 mm pitch; 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標(biāo)題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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