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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

BC869-16-Q

20 V, 2 A PNP medium power transistors

PNP medium power transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead plastic package.

Features and benefits

  • High current

  • Three current gain selections

  • High power dissipation capability

  • Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity

  • Leadless very small SMD plastic package with medium power capability

  • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

Applications

  • Linear voltage regulators

  • High-side switches

  • Battery-driven devices

  • Power management

  • MOSFET drivers

  • Amplifiers

文檔 (1)

文件名稱 標題 類型 日期
BC869-Q_SER 20 V, 2 A PNP medium power transistors Data sheet 2024-12-11

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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

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